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鈣鈦礦廣泛用于太陽能電池的開發(fā)。由于這些類型的太陽能電池具有良好的光伏性能，因此對(duì)它們進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。鈣鈦礦薄膜的厚度和形態(tài)是影響太陽能電池性能的重要因素。人們發(fā)現(xiàn)，特別當(dāng)鈣鈦礦的厚度小于400nm時(shí)，鈣鈦礦太陽能電池的效率很大程度上取決于薄膜厚度；而當(dāng)鈣鈦礦的厚度大于400nm時(shí)，效率則很大程度上取決于鈣鈦礦層的薄膜形態(tài)。在本篇方案說明中，我們使用FR-pRoVIS/NIR測(cè)量鈣鈦礦薄膜的厚度。FR-pRoVIS/NIR測(cè)量方法：用于表征的樣品是兩種不同厚度的CH3NH3...

簡(jiǎn)介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應(yīng)用于不同的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對(duì)于控制最終平臺(tái)的性能至關(guān)重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個(gè)MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上測(cè)量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個(gè)徠卡分模光學(xué)顯微鏡上。使用10倍物鏡進(jìn)行測(cè)量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對(duì)應(yīng)于25μm的光斑大小(測(cè)量區(qū)域)。使用內(nèi)部光源將FR-μProbe安裝在光學(xué)顯微鏡上測(cè)量方法獲得...

具有可控和可調(diào)節(jié)表面化學(xué)性質(zhì)的清潔表面對(duì)于改善材料的界面，生物和電子性能，以獲得*佳的設(shè)備和結(jié)構(gòu)性能至關(guān)重要。等離子體表面處理可去除納米級(jí)有機(jī)污染物，并在不影響整體材料的情況下改變表面化學(xué)性質(zhì)。等離子清洗的好處等離子體清潔是通過化學(xué)反應(yīng)（O2或空氣等離子體）或物理消融（Ar等離子體）去除有機(jī)污染物。等離子體處理還在表面上引入了化學(xué)官能團(tuán)（羰基，羧基，羥基），使大多數(shù)表面具有親水性，水接觸角的減小和潤(rùn)濕性的提高。清潔且親水的表面通常對(duì)于促進(jìn)附著力和增強(qiáng)與其他表面的粘合至關(guān)重要。...

WABASH平板硫化機(jī)主要用于硫化平型膠帶（如輸送帶、傳動(dòng)帶，簡(jiǎn)稱平帶），它具有熱板單位面積壓力大，設(shè)備操作可靠和維修量少等優(yōu)點(diǎn)。平板硫化機(jī)的主要功能是提供硫化所需的壓力和溫度。壓力由液壓系統(tǒng)通過液壓缸產(chǎn)生，溫度由加熱介質(zhì)（通常為蒸汽）所提供。平帶平板硫化機(jī)按機(jī)架的結(jié)構(gòu)形式主要可分為柱式平帶平板硫化機(jī)和框式平帶平板硫化機(jī)兩類；按工作層數(shù)可有單層和雙層之分：按液壓系統(tǒng)工作介質(zhì)則可有油壓和水壓之分。WABASH平板硫化機(jī)操作方法：1、按模具尺寸和規(guī)定的單位壓力調(diào)整壓力表，嚴(yán)禁超壓...

MC應(yīng)用｜Harrick等離子清洗機(jī)PDMS鍵合小能手！HarrickPlasma→PDMSBonding，時(shí)長(zhǎng)00:14應(yīng)用領(lǐng)域聚（二甲基硅氧烷）（PDMS）是基于硅酮的有機(jī)聚合物，因其低成本和多功能性而廣泛用于專業(yè)和學(xué)術(shù)研究實(shí)驗(yàn)室。PDMS是惰性的，透明的，可通過軟光刻輕松定制，該技術(shù)用于成型PDMS并將納米級(jí)特征和微通道壓印到其表面上。Harrick等離子清洗機(jī)可去除有機(jī)污染物并激活PDMS表面，以用于與玻璃，PDMS或其他經(jīng)過類似處理的表面進(jìn)行粘合。PDMS鍵合于微流...

科研圈｜超逼真20張動(dòng)圖，秒懂四大電鏡原理（SEM,TEM,AFM,STM）！材料的顯微分析能獲得材料的組織結(jié)構(gòu)，揭示材料基本性質(zhì)和基本規(guī)律，在材料測(cè)試技術(shù)中占重要的一環(huán)。對(duì)各種顯微分析設(shè)備諸如SEM、TEM、AFM、STM等，各位材料屆的小伙伴一定不會(huì)陌生。最近小編發(fā)現(xiàn)一些電鏡動(dòng)畫，被驚艷到，原來枯燥無味的電鏡可以變得這么生動(dòng)，閑言少敘，下面就和大家一起來分享。掃描電子顯微鏡（SEM）掃描電鏡成像是利用細(xì)聚焦高能電子束在樣件表面激發(fā)各種物理信號(hào)，如二次電子、背散射電子等，通...

光刻膠的顯影和光刻工藝今天小編要跟大家簡(jiǎn)要介紹關(guān)于光刻膠的顯影過程和光刻工藝處理的一些相關(guān)內(nèi)容。光刻工藝可用五個(gè)指標(biāo)來衡量其效果：分辨率、靈敏度、套刻對(duì)準(zhǔn)精度、缺陷率和硅片加工過程處理問題，其中有3個(gè)指標(biāo)，分辨率、靈敏度和缺陷率是與涂膠顯影的工藝精度有重要。顯影過程是將曝光后的光刻膠中與紫外光發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的部分除去或保留下來的過程。顯影的主要過程如下：對(duì)準(zhǔn)曝光→曝光后烘→顯影→堅(jiān)膜→顯影檢測(cè)。1對(duì)準(zhǔn)曝光（AlignmentａndExposure）對(duì)準(zhǔn)曝光階段是光刻工藝的重要階...