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薄膜沉積|涂層方法比較薄膜可以通過多種涂層方法制備,包括蒸發(fā)技術(shù)和溶液處理法。溶液處理技術(shù)將溶液均勻涂覆在基底上,干燥后形成薄膜。均勻可靠的薄膜沉積對于太陽能電池、有機發(fā)光二極管(OLED)和其他半導(dǎo)體器件的開發(fā)與制造至關(guān)重要。由于可用的薄膜沉積方法多種多樣,某些工藝更適合特定應(yīng)用。溶液處理法因其可擴展性潛力而特別具有吸引力。選擇適合的涂層方法從小規(guī)模研究到大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn),您需要綜合考慮小規(guī)模和大規(guī)模應(yīng)用來比較每種薄膜涂層方法。這有助于您為當(dāng)前需求做出正確選擇,同時了解未來...
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狹縫涂布故障排除狹縫缺陷(SlotDieDefects)狹縫涂布是一個復(fù)雜的過程,獲得穩(wěn)定的薄膜涂層需要深入了解沉積技術(shù)背后的物理原理??赡馨l(fā)生兩種類型的缺陷:由于涂層珠彎月面的不穩(wěn)定性而導(dǎo)致的缺陷,此時涂布過程離開了穩(wěn)定涂布窗口。改變涂布參數(shù)將導(dǎo)致返回穩(wěn)定涂布區(qū)域?;蛘呖梢哉f是外部因素導(dǎo)致的缺陷,這些因素與流體的輸送、基材的移動或溶液的粘彈性性質(zhì)有關(guān)。這些缺陷通常需要更改涂布系統(tǒng)或流體才能克服。以下部分將介紹這兩類缺陷,并展示常見問題、這些缺陷的特征、它們產(chǎn)生的原因以及可用...
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狹縫涂布流動分析了解狹縫涂布背后的基礎(chǔ)理論對于理解操作參數(shù)和狹縫幾何形狀如何相互作用以形成穩(wěn)定涂層至關(guān)重要。高質(zhì)量涂層只能在特定的涂布窗口內(nèi)實現(xiàn),離開此穩(wěn)定涂布窗口將導(dǎo)致缺陷形成——最終,薄膜將無法涂布。通過了解涂層薄膜中缺陷的根源,可以知道需要改變哪些加工參數(shù)和狹縫幾何形狀以返回穩(wěn)定涂布區(qū)域。在本節(jié)中,我們將討論:改進分布的分流板設(shè)計的理論基礎(chǔ)溶液如何通過受限制的通道流動產(chǎn)生大的壓力梯度涂層彎月面的形狀和位置如何受到影響溶液分布(SolutionDistribution)溶...
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??狹縫涂布:理論、設(shè)計與應(yīng)用狹縫涂布是一種極其通用的沉積技術(shù),其中溶液通過一個靠近基材表面的狹縫輸送到基材上。狹縫涂布方法的一個主要優(yōu)點是濕膜涂層厚度、溶液流速以及涂層基材相對于涂布頭的速度之間存在簡單的關(guān)系。此外,狹縫涂布能夠在大面積上實現(xiàn)極其均勻的薄膜。例如,Ossila狹縫涂布機可以在許多米范圍內(nèi)產(chǎn)生厚度變化低于5%的涂層,并且在100毫米范圍內(nèi)厚度變化小于50微米(0.05%)。狹縫涂布是許多可用于將薄液膜沉積到基材表面的方法之一。與旋涂或浸涂等傳統(tǒng)技術(shù)相比,狹縫涂...
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棒涂的介紹:方法、理論與應(yīng)用棒涂是一種簡單的濕法加工技術(shù),用于在基材上沉積一薄層溶液。將一根棒或梅爾棒(MayerRod)放置在基材上,并拖過溶液池,導(dǎo)致溶液鋪展成薄膜或涂層。棒涂通常用于開發(fā)汽車涂料、光伏電池和鋰離子電池等應(yīng)用。棒涂可以手動進行,也可以自動化以提高精度和效率。在自動化棒涂系統(tǒng)(例如Ossila棒涂機中,使用自動涂膜機以均勻速度將棒(如繞線梅爾棒)在基材上移動。根據(jù)所用棒的類型,這種涂布方法也被稱為刮涂(drawdowncoating)、棒涂(rodcoati...
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退火爐的溫場均勻性是決定材料熱處理質(zhì)量的核心參數(shù),直接影響晶粒尺寸、相變行為及殘余應(yīng)力分布。本文系統(tǒng)探討溫場均勻性的關(guān)鍵影響因素、優(yōu)化策略及工業(yè)應(yīng)用案例,為高精度退火工藝提供理論指導(dǎo)與技術(shù)解決方案。1.溫場均勻性的技術(shù)意義與評價指標(biāo)1.1均勻性對材料性能的影響·半導(dǎo)體晶圓:溫度偏差±5℃可導(dǎo)致?lián)诫s濃度波動10%,載流子遷移率下降20%(參考IEEETrans.Semicond.Manuf.,2019)?!そ饘侔宀模壕植繙夭?0℃引發(fā)非均勻再結(jié)晶,拉伸強度分散度增...
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快速退火爐的選型需要綜合考慮工藝需求、材料特性、設(shè)備性能以及預(yù)算等因素。以下是選型時需要關(guān)注的關(guān)鍵參數(shù)和步驟:---**1.明確工藝需求**?材料類型:金屬、半導(dǎo)體(如硅、GaN)、玻璃、陶瓷等,不同材料對溫度范圍和氣氛的要求差異較大。?退火目的:消除應(yīng)力、再結(jié)晶、摻雜激活(如半導(dǎo)體離子注入后的退火)、改善材料性能等。?工藝參數(shù):?溫度范圍:最高溫度需覆蓋材料退火需求(例如半導(dǎo)體退火可能需要1200°C以上,金屬可能更低)。?升溫速率:快速退火通常要求很高升溫速度(如100°...
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