美國PIE Scientific專注研發(fā)*實驗室用等離子儀器，用于SEM/TEM樣品清潔、光刻膠蝕刻、等離子體增強沉積、表面處理與活化。我們的宗旨是：將半導體和核工程研究中開發(fā)的等離子技術集成到經濟實用的實驗室用等離子儀器。

污染物對電子顯微鏡SEM/TEM和其它高真空系統(tǒng)產生的影響

潤滑劑、真空脂、泵油樣品中的高分子聚合物，或未經處理的空氣都會把碳氫污染物引到真空系統(tǒng)中。低蒸汽壓下高分子重污染物會凝聚在樣品表面和腔室壁上，而使用普通氣體吹掃方法很難把碳氫污染物清除。

電子和高能光子(EUV, X-ray)能夠分解存在于真空系統(tǒng)中或樣品上的碳氫污染物。碳氫化合物的分解產物沉積在被觀測的樣品表面或電子光學部件上。這種碳氫污染沉積會降低EUV的鏡面反射率，降低SEM圖像對比度和分辨率，造成錯誤的表面分析結果，沉積在光闌或其它電子組件的不導電碳氫污染物甚至會造成電子束位置或聚焦緩慢漂移。在ALD系統(tǒng)中，樣品表面的碳氫污染物還會降低薄膜的界面匹配質量。

特點：

1. 系統(tǒng)具有雙等離子源。浸入式等離子源用于主動表面處理、光刻膠蝕刻。遠程式等離子源用于溫和的污染清除以及脆弱易損樣品的表面活化

2. 13.56MHz高頻射頻發(fā)生器

3. 7英寸觸摸屏控制界面，全自動操作

4. 標配75W版本，可選150W版本

5. 標配2路氣體輸入，可選第三路氣體輸入

6. 可選與FEI、JEOL、HITACHI等TEM樣品桿配套的適配器

7. AC輸入：通用(110~230V, 50/60Hz)

除了Tergeo EM型SEM & TEM樣品清潔等離子清潔儀，另有Tergeo Basic基本型等離子清潔儀和Tergeo Plus型大腔室等離子清潔儀

三、技術參數(shù)

1、控制系統(tǒng)

1）操作界面：7英寸電阻觸摸屏操作界面，支持多種工作方式。

2）程序控制：可編程，總共有20個程序，每個程序有3個清潔步驟

2、反應腔體

1）腔體材質：圓柱形石英玻璃艙。

2）腔體尺寸：內徑110毫米，外徑120毫米，深度280毫米，壁厚：5毫米。

3）前觀測窗：前方開口，5毫米厚石英玻璃可視窗口，可觀測內腔等離子狀態(tài)，并帶有防真空泄漏和避免高壓的聯(lián)鎖裝置，有效保護操作的安全性；

3、射頻電源

1）射頻頻率：13.56MHz

2）射頻功率：標配0~75W；可選配0~150W。從0瓦到150瓦之間以1瓦間距連續(xù)可調，自動阻抗匹配。

3）射頻輸出可以工作在脈沖方式，脈沖比可以從1/255調到255/255（連續(xù)輸出）。

4、等離子源

1）等離子強度探測器實時測量等離子源強度。

2）電阻耦合電離方式。

3）外置電極設計，高壓電極不合等離子接觸以避免金屬濺射造成的樣品污染。

5、氣體控制

1）氣路控制：標配一路MFC；可選配三路MFC；

2）質量流量計可以在0~100sccm之間控制氣體流量；

3）一路(Venting and purging)氣體入口用來快速給樣品室放氣和沖走殘余處理氣體。

4）自動放氣流程控制可以保護真空泵不受影響。

5）高性能氣壓計可以測量1e-4 Torr到大氣壓之間的氣壓。

6）6mm氣體接口。

6、真空系統(tǒng)

1）KF25法蘭接口用來連接真空泵。

2）真空要求：抽速：>1.7m3/h；

3）低氣壓：<=200mTorr.